近日,武汉新城首个项目——长飞先进武汉基地项目迎来重要施工节点,随着最后一斗混凝土浇筑完成,年产36万片碳化硅晶圆的现代化半导体制造基地主体结构全面封顶。
长飞先进武汉基地项目由中建一局集团建设发展有限公司承建,项目建筑面积约30万平方米,主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
据中建一局集团建设发展有限公司相关负责人介绍,长飞先进武汉基地项目建设周期短、工期紧、任务重,面临深基坑地下室施工、超高独立柱的施工、超高超限梁高支模架体施工、大面积超平楼地面一次成型施工等诸多危险性较大、质量要求高的施工难题。
本次封顶的主厂房是整个项目核心,结构形式为钢筋混凝土框架结构,其中桁架长67.2米、单榀桁架重约50吨、桁架高4.15米,屋面桁架属于超长、超高、大跨度钢桁架结构。为保证吊装顺利进行,项目团队通过Tekla、有限元软件分析,对桁架合理分段、加工、拼装、吊装。现场桁架安装时特别采用了“半正半逆”施工技术替代传统场外吊装工艺,通过在结构中间预留满足履带吊行车及吊装条件的施工通道,解决大跨度桁架拼装场地不够、常规履带吊无法满足吊装屋面桁架幅度大及重量大的技术难题。同时,也将主体结构施工形成流水作业,相邻两侧的周转材料周转至通道主体结构内,大大节约周转材料的一次投入成本;材料可由汽车吊、塔吊快速进楼,预留通道流水段可由中间向两侧反方向同时施工,加快施工进度,压缩施工时间,降低施工成本,完美保障主厂房工期的同时又不使其他单体因占道而受影响。最终,在全体建设者的共同努力下,历经近200个日夜奋战完成厂房主体结构封顶。
据悉,长飞先进武汉基地项目即将进入装饰装修阶段,预计明年7月量产通线,届时可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块,广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域,同时促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作,助力武汉打造国内化合物半导体产业高地,促进国内碳化硅产业繁荣发展,助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。
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